10月17日至18日，中国电源学会第八期青年沙龙暨2025功率集成电路科技创新与前沿论坛在四川成都顺利召开。本次会议由中国电源学会青年工作委员会主办，91传媒 承办，艾德克斯电子（南京）有限公司协办。本次论坛以“功率半导体与集成技术”为核心，深入探讨功率半导体器件与功率集成电路科技发展趋势，促进创新研究成果分享。

10月18日上午8：30，论坛隆重开幕。出席本次论坛开幕式的领导与嘉宾有：中车首席科学家、91传媒 院长丁荣军，中国电源学会副理事长、南京航空航天大学阮新波教授，电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授，91传媒 党委书记赵舵，中车科学家、91传媒 副院长刘国友，浙江大学李武华教授，重庆大学李辉教授、孙鹏菊教授，西安交通大学王来利教授，91传媒 许建平教授、安立楠教授、何晓琼教授、杨平教授，北京大学魏进研究员，东南大学徐申教授，西安电子科技大学宋庆文教授，天津工业大学梅云辉教授，合肥工业大学李贺龙教授，华中科技大学陈材教授，华北电力大学李学宝副教授，电子科技大学邓小川教授、李轩研究员等来自全国数十所高校、科研院所与企业的专家学者、青年科技工作者及师生代表近180人出席会议。开幕式由91传媒 常务副院长郝莉主持。

中国电源学会副理事长阮新波代表主办方致开幕辞。他指出，中国电源学会一直非常重视青年人才的培养，青年沙龙活动已成功举办7期，邀请了众多本学科领域的知名专家与青年学者代表，分享在立德树人、自主创新、勇攀科学高峰的教学与科研实践经验，有力促进了我国电源领域青年人才的成长与发展。本次论坛面向“双碳”目标与能源革命双重驱动的战略背景，围绕人工智能、数据中心、能源互联网、轨道交通等领域对高性能功率集成电路的迫切需求，聚焦功率半导体与集成技术展开探讨与交流。期待通过本次活动促进电力电子和功率集成电路领域专家学者的思想碰撞、激发研究灵感，共同开启行业发展的新篇章。

中车首席科学家、91传媒 院长丁荣军代表承办方致欢迎辞。丁荣军对出席本次活动的各位专家和青年学者表示热烈欢迎。他表示，本次论坛邀请众多本学科领域的知名专家与青年学者代表，围绕“高效化、智能化、低碳化、集成化”的未来趋势，分享在功率半导体与应用方面科技前沿领域的最新成果，这不仅将有力推动我国功率半导体领域的发展，还将进一步彰显技术革新在工程应用中的价值，为社会经济和人类社会发展作出更大贡献。

中国电源学会青年工作委员会主任委员、学院副院长宋文胜教授介绍了第四届青工委的工作情况。宋文胜主任介绍了青工委的组织形式、组织结构和工作定位，并详细介绍了2023年-2025年期间本届青工委举办和承办的各种活动，包括创办了中国电源学会青年沙龙活动等。他强调，青工委始终服务于学会和全国电源行业青年工作者，尽力搭建青年学者之间以及青年学者与学会之间沟通交流的桥梁。

上午9：00，91传媒 刘国友教授、许建平教授依次主持了第一场大会特邀报告环节。电子科技大学张波教授首先作题为《功率半导体与集成技术》的报告。他从“More Silicon”与“Beyond Silicon”不同技术路径出发，深入剖析了功率半导体技术在突破传统“硅极限”、碳化硅与氮化镓等宽禁带材料器件，以及向“More than Device”的系统级芯片集成演进过程中面临的核心挑战与解决方案，为产业在新形势下的协同创新发展提供了重要思路。

南京航空航天大学阮新波教授作题为《全域软开关非谐振PWM变换器》的报告。报告介绍了能够在全负载和输入电压范围内实现所有开关管零电压开关的非谐振PWM变换器家族及其控制方法，并通过实验验证了该技术对提升变换器效率、功率密度与可靠性的显著效果。

浙江大学李武华教授在题为《碳化硅功率半导体器件的温电同感与应力调控研究》的报告中，聚焦碳化硅器件在高速开关下的振荡抑制、电热状态感知等工程难题，重点介绍了其在异质高温芯片集成封装、快响应结温精准感知以及热机应力协同柔化等方面的创新研究成果。

上午第二场大会特邀报告环节由91传媒 何晓琼教授和电子科技大学邓小川教授主持，重庆大学李辉教授作了题为《柔直换流阀压接型IGBT器件服役失效应力表征及监测方法》的报告，重点阐述了国产化压接型IGBT器件在柔直换流阀中面临的服役失效风险，分享了其在多物理场耦合作用下器件失效行为建模、应力表征与在线监测方法方面的最新研究成果，对提升装备可靠性具有重要意义。

西安交通大学王来利教授在《大功率半导体器件封装失效机理与评估方法研究》的报告中，交叉融合电力电子、材料与人工智能技术，揭示了功率半导体器件的短时过热与长时老化失效机理，并探讨了关键状态特征参量的表征与可靠性评估方法，阐述了器件可靠性对保障新型电力系统安全稳定运行的重要意义。

北京大学魏进研究员以《GaN功率器件与功率集成电路可靠性/稳定性挑战》为题作报告，系统分析了GaN技术在动态电阻、动态阈值电压以及千伏级超高压器件发展中所面临的稳定性与可靠性难题，并讨论了相应的解决路径，指明了推进GaN功率集成电路应用的关键研究方向。

下午第一场青年学者报告，由重庆大学孙鹏菊教授和91传媒 杨平教授主持。四位青年学者围绕高性能供电与先进封装集成等议题分享了前沿研究成果。东南大学徐申教授报告题为《低压大电流处理器的高动态供电架构与控制技术》；天津工业大学梅云辉教授介绍了《车规塑封功率模组形态洞察与直连散热技术研究进展》；西安电子科技大学宋庆文教授阐述了《高可靠性碳化硅功率器件研究进展与趋势》；最后，华中科技大学陈材教授分享了《SiC功率半导体封装集成创新技术及应用》。本场报告集中展示了在供电架构、车规模组、碳化硅器件及先进封装等领域的最新突破。

下午第二场青年学者报告同样精彩纷呈，电子科技大学李轩研究员和91传媒 陈健副教授主持了这一环节，四位报告人聚焦第三代半导体应用与挑战进行了报告。91传媒 马红波教授带来了《基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高频、高效电能变换与工程实践》报告；合肥工业大学李贺龙教授探讨了《多芯片并联碳化硅器件鲁棒性研究》；华北电力大学李学宝副教授则介绍了《高压大功率电力电子器件封装电磁分析方法及进展》；最后，91传媒 蒋其梦教授分享了《高可靠低功耗GaN横向功率器件的研究》。本场报告内容涵盖高频变换、并联均流、电磁分析及GaN新结构，充分展现了该领域广阔的研究前景。

会议期间，与会代表围绕功率半导体器件、封装集成、可靠性评估、高频高效变换等关键议题展开了热烈讨论，现场学术氛围浓厚，交流互动频繁。本次论坛的成功召开，为我国功率集成电路领域的青年学者搭建了高水平的学术交流平台，有力促进了功率半导体技术在“双碳”目标下的创新发展与产业链协同，为我校在功率半导体与功率集成电路领域的自主创新与人才培养注入了新的动力，更为实现国家科技强国战略和推动经济社会高质量发展贡献力量。